重庆联合微电子中心CUMEC，是国内硅光流片平台之一，之前写过他家的工艺进展，与CW激光器的耦合等等。

今年在九峰山化合物论坛，也提高了流片平台的新进展，略更新一下。

一个是常规的硅光平台。包括了载流子耗尽型探测器部分，带宽大于40GHz，锗探测器工艺，采用硅的金属接触，避免锗上金属的吸收损耗，带宽50GHz以上。

包括加热器，以及加热区域底部的刻蚀工艺，降低加热功耗。硅的衬底是导热系数很大，做湿法刻蚀后，可以避免加热电阻的衬底泄露。加热部分主要用于补偿硅的热光系数较大导致的温漂或者是热光相移功能。支

持垂直耦合与边缘耦合。边缘耦合利用氮化硅波导做SSC转换，支持全固态边缘耦合，避免悬空波导可靠性风险。

CUMEC的氮化硅有薄厚两种氮化硅工艺，薄工艺容易制作和集成，但损耗和偏振敏感性不是特别好。厚氮化硅的应力风险很大，但有利于降低耦合损耗，降低偏振相关性。

800nm的SiN的损耗值。

今年九峰山论坛，发布消息说做了第一个硅基铌酸锂的工艺平台，这个平台是九峰山实验室与重庆联合微电子共同开发的，有很多数据他们还没对外公开，那咱们就等等，等到可以公开的时候再看。

氮化硅和铌酸锂之间是通过低温键合工艺实现的，二者通过锥形taper做倏逝波耦合。

这种结构对于键合温度、键合层平整度以及键合层的厚度，要求极高。

对键合温度要求高，是铌酸锂、氮化硅，以及键合区域的氧化硅，CTE热膨胀系数不同，尤其是铌酸锂X cut的晶体切割还呈现了各向异性。如果键合温差很大，热应力对可靠性的响应就很大。

键合层的平整度与厚度的精确控制，是与倏逝波耦合损耗以及产品的一致性相关的。倏逝波耦合要考虑古斯哈森位移。

CUMEC和JFS没有公开更多的技术细节，咱们可以看一下类似技术介绍。