Y10T312 住友等通过电光均衡设计提高调制器带宽，举例了硅光调制器采用电光均衡原理提高带宽的设计。

在《通信技术动态与案例-Y10卷》第622-624页，收录了铌酸锂材料通过电光均衡设计实现的带宽提升。

这个电光均衡结构的铌酸锂调制器，写一下今年的进展。

2022年是在传统体材料的铌酸锂上做的带宽提升，调制区长度84mm。

2024年通过体结构的薄膜化，也就是基于薄膜铌酸锂材料设计的电光均衡结构的调制器，调制区长度15mmx3段，芯片尺寸也相应降低。

2025年，则考虑了通过折弯波导实现的进一步缩小芯片尺寸。在2024年的案例，我盲猜了一下，如果折弯成两段，可以降低芯片长度，哦吼，住友和这几个合作伙伴，折俩弯成三段式，调制区的长度降低到13.5mm，考虑相位与外部控制，芯片的物理长度26.5mm。

下图蓝色虚线，就是调制长度，从84mm@2022，逐步降低到2025年的13.5mm。

如果是一弯两段，刚好可以利用铌酸锂的调制反向来匹配电光均衡的反向调制，就是技术动态Y10提到的。

但是两弯三段，则其中一弯需要考虑铌酸锂的晶体极性与电极的匹配。可以通过电极交叉波导不交叉，或者通过波导交叉电极不交叉，实现极性的一致性控制。

住友选择了波导交叉，电极不交叉的处理。通过两弯三段，将调制长度降低到13.5mm，整体芯片长度降低至26.5mm。

TFLN的电光均衡调制器，带宽约100GHz，包括光纤的耦合损耗，总计光学损耗为9.2dB，半波驱动电压选择2V，电极采用容性T型周期性结构，可实现255GBd的NRZ(或者叫OOK）的信号调制，或184GBd PAM4的信号调制。