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Y9T237 光迅高导热EML TO can

更新时间:2023-08-25 08:08:49 阅读量:779

2023年8月11号,光迅公开了一个EML TOcan的结构,如下图


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略解释一下这个结构,EML TO,常见如下分布,如果不是大功率的TEC,或者不用宽温工作时,EML的TO 相比较BOX更低成本。

当然,BOX做EML封装,散热路径更好,热阻更小,内置的TEC也可以使用更大尺寸的,成本也高一些。


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光迅这个思路,(当然其他家的结构也是大同小异,只是光迅明确对这个结构申请专利),是在TO底座上挪出一些空间,把导热块焊上去,既兼顾TO的低成本,也可以实现BOX的高导热设计。


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TO底座上,选择钨铜底座,铜很导热,但热膨胀系数比较大,TO需要兼顾内置芯片的光路稳定,以及气密性封装的CTE热膨胀系数一致性,这个散热选择钨铜来平衡膨胀系数是比较好的。

引脚的分布,主要是把中心位置的GND引脚挪到外边来,留出散热空间


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EML的调制信号是高速信号,需要有GND的回流,也需要降低引脚内径,匹配高频信号的信号波长缩短,带宽增大(频率增高)的特性。其他引脚则是低速引脚,用较粗的金属销,有更好的可靠性接触。


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TO盖帽之后,再增加的导热块,内凹外平,整体结构互相适配,以最大接触面为好。导热胶黏附。

导热块用紫铜,比钨铜的导热系数更大,这个导热块不参与光路,也不参与气密封装,所以膨胀系数可以要求宽容一些,以便利用紫铜高导热的特性。


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这种结构,可以降低内部EML的芯片升温,或者是提高工作温度范围,比如从商温,提高到工温的应用。



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