今年ECOC，昨天晚上华为对他家200Gbps的EML做了一个技术报告。
先看一下结论：
覆盖CWDM4波长：1271nm、1331nm
封装后的EML带宽：58GHz
传输速率：200Gbps@PAM4
TEDCQ<2.5dB
传输2km BER代价：0.5dB@200Gbps PAM4
消光比：4.5dB@1 Vpp
基于200Gbps的单通道速率，x4可支持800G光模块，x8可支持1.6T光模块，在2km传输中，DML基本无法实现，目前是EML与SiPh硅光方案进行PK的时间节点。
在OFC2022年的PPT中，有35页PPT写的是Lumentum、Broadcom（Avago）、HHI、ETRI、NTT等各家100G、200G EML的技术路线。
今年Google谈下一代通信发展技术路线时，对200Gbps/ch的分析，认为基于低成本无制冷的EML，由于其存在一定的啁啾，会在传输中受到色散容限的距离限制，传输距离只能实现1km
华为的EML优化，基于这个结论，降低啁啾，且加了TEC，也就是低啁啾&制冷，可将EML在200Gbps的速率下传输2km的距离。
比较尴尬的是，华为并没有给出具体的EML设计细节，以及封装细节。我们从他们的只言片语中先尝试看看。
红色是华为提及的几个技术点
采用对接耦合，具有更低的Vpp，更好的消光比，更大的带宽，和更低的啁啾。
对接耦合工艺流程在2020合集的413-415页
对接，是相对于倏逝波式的耦合方式。之前写过一个华为与HHI合作的EML，就以HHI的InP平台，做一个对接的解释。
下图红色部分是MQW的多量子阱有源层。可以用来做激光器、SOA、探测器和电吸收调制器等光学器件。
后来，HHI又有一个双层有源层的结构用作探测器的吸收层，或者电吸收调制器的吸收层，这个就是基于倏逝波进行调制的，上下两层波导的好处可以避免对接点引起的可靠性风险，劣势就是耦合有损耗，导致光功率小，需要更大的调制电压摆幅
对接生长，则需要先生长用于激光器的量子阱，然后局部挖空，进行二次生长EAM区域的量子阱，工艺复杂一些。好处就是性能更好。目前产业界EML的主流工艺是基于对接生长。
EML的啁啾，源于调制区的电场变化会串联影响到DFB的折射率，导致DFB有少量的波长随外加电场的变化而变化，如果拉长对接区的无源波导，则可以降低二者的互相影响，带来另一个可能存在的问题，就是出光功率不够大。 华为在这次的技术报告中没有提及出光功率，但在测试框图中，看到了SOA，大概率是用来弥补光功率的。
用RWG的结构来降低成本
RWG也就是Y8T214中提到的“浅脊”，用浅脊有两个原因，一个是降低外延的次数降低成本，第二是用了含铝的量子阱来提高带宽，而含铝材料对于BH结构的多次外延生长工艺是有严苛要求的，因为铝是一个很活泼的金属。
目前产业界用于DFB、EML的量子阱材料就两种，InGaAsP和AlGaInAs，用AlGaInAs的所谓含铝量子阱，性能要好一些，对外延工艺的要求也更难一点。
华为选择含铝材料做量子阱
优化失谐波长
对于DFB的量子阱和EAM的量子阱，要做更精细的激射光谱和吸收光谱边界的间隙设计，常见的是10nm的波长间隔，对消光比有好处，但需要较大的调制摆幅，如果把10nm的波长间隔收窄到7nm左右，牺牲消光比，可以换来小的调制摆幅
华为用的是1Vpp，有两个好处，一是可以提高带宽，摆幅越小，高低电平的切换时间才越短，速率就越高。二是可以取消驱动芯片，采用DSP直接加载调制电压。
华为还提到了降低焊垫电容，圆形焊盘要做金丝键合，一般的直径需要在60微米附近，这个焊盘与底部电极就会寄生一个电容，这个电容加上PN结电容，增大了RC常数，降低总的带宽，需要额外控制。
之前写过一些降低焊垫电容的部分，不知道华为这次用的什么材料，不妨猜一猜。
华为还提到用氮化铝基板的台阶设计，来提高封装工艺能力，封装后的EML有58GHz的带宽。
技术细节依然没有，基于台阶的金丝线弧，在OFC的PPT中有原来Lumentum用于200Gbps EML的一个仿真结果。可以参考一下。
用氮化铝做封装基本，是氮化铝具有高导热的能力，以及热膨胀系数与InP一致的特点。
