400G相干模块，用的是64G波特率，这两年大家在向600G、800G发展和探索，需要提高到100G波特率，实现800G比特率的传输。

相干接收，住友在他家400G（64G Bd，50GHz）带宽下，做了优化，提升到800G（100G Bd，65GHz）的应用。

用的是MMI结构做接收干涉，InP波导，InP波导型入射的平衡探测器。这是常见的。

局部放大，拆开，400G相干接收探测器和波导结构如下，InP波导，下左浅紫色，进入到右侧探测器， 探测器吸收层InGaAs，是光学吸收层，也是波导的芯层，厚度与InP波导做匹配，损耗小，优化灵敏度。

用于800G，就要提升探测器带宽，

一方面探测器长度缩短，降低PN结电容，提升带宽

第二，减薄探测器吸收层厚度，减小收集载流子的时间，提升带宽。

带来一个隐患，就是吸收层同时也是光场的芯层，减薄，意味着和InP波导光场不匹配，损耗很大，响应度变差，灵敏度劣化。

住友就做了一个新增加的层，下图粉色，P型InGaAs，为什么是用P型InGaAs，在合订本的第697页有图，在反偏电场下，P型InP和P型InGaAs收集空穴的速率不一样，

增加这一层，

首先，吸收层还是很薄，带宽依然很大。

其次，P-InGaAs收集空穴的速度更快，意味着最大的速率短板得到优化，对探测器带宽带来积极因素。

再者，P-InGaAs和吸收层的InGaAs，除了电学作用外，他们的折射率比InP要高，是光场的芯层，与InP波导芯层厚度匹配，耦合损耗小，不用付出牺牲灵敏度的代价。

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