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Y7T137 旭创400G DR4的EML芯片结构

更新时间:2021-05-17 10:05:37 阅读量:1241

昨天聊的是激光器和调制器,其中聊到旭创的400G DR4的一个结构



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图片是Yole和SYSTEM Plus五一公布的,网址在下方



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这个EML的结构,我在合订本的第573页写过,三菱在2018年就介绍过这种结构的激光器细节



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我结合Yole给出的微弱信息,自己画一个理解型的示意图,电极分布如下,波导区域是两侧各做了10微米左右的沟槽,下图从右向左分别是DFB、隔离区、EAM和SSC的模斑转换



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去除电极,看下沟槽,EAM最细,小于2微米,DFB和SSC的波导区域较宽,约30微米,



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我把中间的波导抠出来,DFB是增强型的,但并不是有源层也这么宽(有源层要窄,保持单模特性),电吸收波导的窄是需要降低PN结电容,提高调制速率。

SSC模斑转换,先通过两级锥形过渡,在扩斑,(厚度上也要扩),目的是减少发散角且降低反射。



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DFB沟槽刻蚀较宽,但波导区域仍很窄(下图右侧DFB区域的红色是波导),蓝色的部分没有光学特性,是用来做电学的载流子限制的。



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